报告题目

植入式“硅基-碳基”神经界面的脑机接口器件及系统

报告人

宋恩名 研究员

报告人单位

复旦大学

报告时间

2025年10月15日（星期三）16:00

报告地点

高新校区三号学科楼205会议室

主办单位

精准智能化学全国重点实验室

报告摘要

基于高密度集成化硅基-碳基的集成柔性电子系统展现了巨大的发展潜力，该领域的研究突破促使着脑机接口领域的快速进展。在此，我们以超大规模硅基半导体功能薄膜器件阵列出发，主要工作围绕植入式脑电信号放大微电极阵列的矩阵成像系统：（1）发展了超大规模数以万计的硅基 CMOS 柔性转移技术，构建全脑维度万级通道脑机接口放大微电极阵列。获得全脑皮层微电极阵列（64,000个晶体管），效率＞97 %；（2）研究了超薄单晶硅热生长二氧化硅纳米材料的封装特性，实现了动物体内可稳定工作的传感器件；（3）开发了新型脑电传感的皮层成像技术，信噪比超40 dB，从而获得了采集、刺激、成像一体的硅基-碳基植入式脑机接口系统。该技术预计促进多功能、高性能的新型生物医学工程的应用，相关成果对脑疾病（癫痫、帕金森症）的医疗方向有重要参考意义。

报告人简介

宋恩名，复旦大学光电研究院，研究员，博导。入选国家级海外高层次人才（青年）、创新2030脑计划重大专项青年首席科学家、上海市海外高层次青年人才、上海脑中心求索杰出青年计划。从事植入式柔性脑机接口电子系统研究，工作围绕用于全脑维度脑电放大传感功能。近5年第一/通讯作者发表期刊论文30篇（含共同），包括Cell、Nature Materials、Nature Biomedical Engineering、Science Advances、PNAS、National Science Review等。2022-2025年获5项脑内植入封装技术的中国与美国授权专利。入选《麻省理工科技评论》35人亚太区、上海科技青年35人、达摩院青橙奖、联合国工业组织科创进步奖、复旦大学十大进展提名奖（第一完成人）、MINE优秀青年科学家奖（Nature Springer）等。任职多篇国际高影响力期刊的副主编/青编：如《Microsystems & Nanoengineering》、《Brain-X》、《The Innovation》等。